離子源：氣體放電、電子束對(duì)氣體原子(或分子)的碰撞，帶電粒子束使工作物質(zhì)濺射以及表面電離過(guò)程都能產(chǎn)生離子，并被引出成束。根據(jù)不同的使用條件和用途，已研制出多種類型的離子源。使用較廣泛的有弧放電離子源、PIG離子源、雙等離子體離子源和雙彭源這些源都是以氣體放電過(guò)程為基礎(chǔ)的,常被籠統(tǒng)地稱為弧源。高頻離子源則是由氣體中的高頻放電來(lái)產(chǎn)生離子的，也有廣泛的用途。新型重離子源的出現(xiàn)，使重離子的電荷態(tài)顯著提高,其中較成熟的有電子回旋共振離子源(ECR)和電子束離子源(EBIS)。負(fù)離子源性能較好的有轉(zhuǎn)荷型和濺射型兩種。在一定條件下，基于氣體放電過(guò)程的各種離子源，都能提供一定的負(fù)離子束流。
　　離子源是一門具有廣泛應(yīng)用領(lǐng)域的學(xué)科，在許多基礎(chǔ)研究領(lǐng)域如原子物理、等離子化學(xué)、核物理等研究中，離子源都是十分重要不可缺少的設(shè)備。
　　離子源的應(yīng)用編輯
　?、?離子摻雜與離子束改性
　　從20世紀(jì)60年代開(kāi)始，人們將一定量的硼、磷或其他元素的離子注入到半導(dǎo)體材料中，形成摻雜。摻雜的深度可用改變離子的能量來(lái)控制；摻雜的濃度可通過(guò)積分離子流強(qiáng)度來(lái)控制。離子注入方法的重復(fù)性、可靠性比擴(kuò)散法好。離子注入摻雜在半導(dǎo)體大規(guī)模集成電路的生產(chǎn)中已成為重要環(huán)節(jié)，用離子注入法取代舊的擴(kuò)散等工藝在有些器件中已成為必然趨勢(shì)。
　　離子注入在金屬材料的改性中獲得的結(jié)果十分引人注目。在常用金屬的離子注入改性中，可以提高金屬的硬度、抗腐蝕性能和抗疲勞強(qiáng)度，降低金屬的磨損率。某些絕緣材料如陶器、玻璃、有機(jī)材料經(jīng)離子束照射以后，性質(zhì)發(fā)生重要的變化，獲得新的用途。
　　離子束照射和摻雜的過(guò)程是非熱平衡過(guò)程，因此用這種方法可以獲得用一般冶金和化工方法無(wú)法得到的新材料。能量較低(50～400keV)的專門用于離子注入的小型加速器“離子注入機(jī)”，已成為一種專門設(shè)備，體積相當(dāng)于一臺(tái)電子顯微鏡或高壓示波器，使用維護(hù)都很方便。在類金剛石材料、高溫超導(dǎo)材料、磁性材料、感光材料等的研究中，已廣泛應(yīng)用離子束，一門新興的冶金學(xué)──“離子注入冶金學(xué)”正在形成。② 離子束分析具有一定能量的離子與物質(zhì)相互作用會(huì)使其發(fā)射電子、光子、X射線等，還可能發(fā)生彈性散射、非彈性散射以及核反應(yīng)，產(chǎn)生反彈離子、反沖核、γ 射線、氫核、氚核、粒子等核反應(yīng)產(chǎn)物，可以提供有關(guān)該物質(zhì)的組分、結(jié)構(gòu)和狀態(tài)等信息。利用這些信息來(lái)分析樣品統(tǒng)稱離子束分析。在離子束分析方法中，比較成熟的有背散射分析X射線熒光分析、核反應(yīng)分析和溝道效應(yīng)（見(jiàn)溝道效應(yīng)和阻塞效應(yīng)）與其他分析相結(jié)合的分析方法等。此外，利用低能離子束還可作表面成分分析,如離子散射譜(ZSS)、次級(jí)離子質(zhì)譜(SZMS)等。超靈敏質(zhì)譜（加速器質(zhì)譜）、帶電粒子活化分析、離子激發(fā)光譜、離子激發(fā)俄歇電子譜等正在發(fā)展中。用于離子束分析的MV級(jí)加速器已有專門的商業(yè)化設(shè)備。
　?、?離子束加工
　　較低能量的離子束廣泛用于工業(yè)加工，如離子減薄、離子拋光、離子束打孔、離子束刻蝕、離子束濺射金屬膜等。
　　標(biāo)簽：離子源電源